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华为哈勃投资天域半导体:发力第三代半导体碳化硅

2021-07-06 08:57 快科技

导读:目前已引进三台世界一流的SiC-CVD及配套检测设备,生产技术达到国际先进水平。

除了投资“芯片之母”EDA企业,企查查工商资料显示,华为旗下哈勃科技日前入股东莞市天域半导体科技有限公司,后者注册资本也从9027万元增加到9770万元,增幅8%

据悉,东莞市天域半导体成立于2009年,位于松山湖高新技术产业园区,是我国首家专业从事第三代半导体碳化硅外延片研发、生产和销售的高新技术企业。

2010年公司与中科院半导体所合作成立“碳化硅技术研究院”,目前已引进三台世界一流的SiC-CVD及配套检测设备,生产技术达到国际先进水平。

至于深圳哈勃科技,华为技术有限公司则出自69%、华为终端出资30%、哈勃科技出资1%,今年4月刚刚成立。

所谓第三代半导体,主要是二十一世纪以来以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)、金刚石四种为代表的半导体材料,即高温半导体材料。第一代半导体材料主要是硅(Si)、锗元素(Ge),第二代主要是化合物半导体材料。


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